반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)
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작성일 20-12-23 13:42본문
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통과해야할 길이가 긴 경우에는 처음 단에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고, 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움이 있게된다 저항을 나타내는 식은 다음과 같다.
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▲ 실험 목적, , ▲ 실험 원리, , ▲ 실험 결과, , ▲ 성장두께에 따른 저항값, , ▲ 결 론, , 파일크기 : 37K
▲ 實驗 목적
▲ 實驗 원리
▲ 實驗 결과
▲ 성장두께에 따른 저항값
▲ 결 론
▲ 實驗 목적 E-baem evaporator를 이용하여 Si wafer 위에 금속을 증착하여 표면금속저항과 전극을 통한 Si의 저항을 측정(測定) 한다. ☞ 600Å > 900Å 이유는? 모든물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다. ▲ 實驗 원리 high energy를 가진 전자 beam을 만들고 이를 target material에 금속을 eaporate 시킨다. eaporate 된 금속 물질이 Si wafer 표면에 달라붙게 하여 금속 박막을 증착 시킨다. ▲ 實驗 결과 -표 ▲ 성장두께에 따른 저항값 -그림 ▲ 결 론. 성장 두께에 따라 저항값이 다르게 나타났다. (물질의저항) = (물질의 종류에 따르…(skip)
설명
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반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)
실험결과/기계
▲ 실험 목적, , ▲ 실험 원리, , ▲ 실험 결과, , ▲ 성장두께에 따른 저항값, , ▲ 결 론, , FileSize : 37K , 반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)기계실험결과 , 반도체 기초 실험 E beam 증착
순서
다. 또 같은 물질이라도 단면적이 클수록 이동할 수 있는 틈새공간은 넓어진다. 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수 있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다.