[工學,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography
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작성일 20-08-16 05:32본문
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8) Photo lithograph…(To be continued )
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[工學,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography
다. 이번 實驗에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 effect을 주는지 확인하고자 한다.
(이때 감광제의 두께는 회전속도의 제곱근에 반비례한다.
2. 實驗 방법
가. 實驗 변수
PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 實驗 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료
다.)
4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
순서
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설명
실험결과/기타
實驗: Photo Lithography
1. 實驗 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정(測定) 한다.
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다. 實驗 과정
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
시료를 25~125m 정도 공간을 둔 후 2초 간 노광한다.